SK Hynix пообещала выпустить серийные модули памяти DRAM DDR5 в 2021 году
Массовое производство модулей оперативной памяти DRAM DDR5 запустит во второй половине 2021 года компания SK Hynix. Информация об этом опубликована 27 июля пресс-службой компании.
В рамках финансового отчета компании за первое полугодие 2021 года были сообщены и некоторые планы. В частности, массовое производство модулей DDR5 начнется во втором полугодии 2021 года по техпроцессу 1znm (10 нм).
Модули будут выпускать сначала по старому техпроцессу 10 нм. С начала 2022 года компания перейдет на продвинутый техпроцессу 10 нм — 1anm с использованием фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV).
В новой версии техпроцесса получилось уменьшить энергопотребление на 20% и увеличить выход чипов с пластины на 25%. Пока на базе техпроцесса 1anm выпускаются чипы памяти LPDDR4 с эффективной частотой 4 266 МГц.
Модули DDR5 запускаются в массовое производство прямо в преддверии выхода в серию нового поколения серверных процессоров Intel Sapphire Rapids. Последние выйдут на рынок в первой половине 2022 года.
Помимо модулей DDR5 компания планирует начать в ближайшие месяцы массовое производство 176-слойных модулей флеш-памяти 4D NAND. Опытные образцы чипов емкостью 512 Гбит отправлены разработчикам управляющих микросхем для твердотельных накопителей (SSD).
