Foxconn решила использовать ИИ для доработки силовых полупроводников

Использование систем искусственного интеллекта (ИИ) для выявления и устранения узких мест в полупроводниковых устройствах третьего поколения решила тайваньская компания Foxconn Technology (Hon Hai Precision Industry), 14 апреля сообщает тайваньское издание об информационных технологиях и электронике DigiTimes.

Компания планирует усилить свои позиции в автомобильной отрасли. В частности, в производстве электротранспорта и автомобильной электроники. Для этого она стремится увеличить свои возможности по проектированию и производству полупроводниковых устройств на карбиде кремния (SiC) и нитриде галлия (GaN).

Такие материалы чаще используются в силовых электронных схемах, которые находят применения, например, в электротранспорте. SiC, GaN и другие материалы третьего поколения позволяют создавать устройства, работающие с большими мощностями, температурами и частотами.

Вместе с тем, при использовании относительно новых материалов (в широком их применении) выясняется большое число проблем. В частности, важно снизить число дефектов в пластинах SiC, увеличить общую надежность полупроводниковых устройств на этом материале.

Также необходимо разработать методы создания качественных GaN-пластин большого диаметра. Нужно разработать средства тестирования и методы анализа надежности.

Для этих и других задач планируется развить концепцию интеллектуального производства, которое будет способствовать оптимизации процесса, контролю и сбору данных.