Гибкий материал с эффектом памяти разработали в Корее

Прозрачное и гибкое устройство памяти на основе гетерогенной ультратонкой наноструктуры малой размерности разработали в Институте передовых композитных материалов Корейского института науки и технологий KIST, 10 сентября сообщает журнал Composites Part B: Engineering.

Устройство гибкой памяти на основе двумерных (2D) наноматериалов является важнейшим элементом на рынке носимых устройств следующего поколения, поскольку оно играет решающую роль в хранении, обработке и передаче данных. Однако память с использованием обычных двумерных наноматериалов имеет ограничения из-за слабых характеристик захвата носителей наноматериалов.

В своей работе ученые из Кореи сформировали монослойные квантовые точки нулевой размерности (0D) и поместили их между двумя изолирующими двумерными ультратонкими структурами из гексагонального нитрида бора (h-BN).

Квантовые точки были сформированы в композитную структуру, которая была зажата между двумерными гексагональными материалами. Таким образом, разработанное устройство сохраняет прозрачность выше 80% и функцию памяти даже в согнутом состоянии.

«Разработав технологию управления укладкой квантовых точек на изолирующем гексагональном h-BN, мы заложили основу для исследования ультратонких нанокомпозитных структур и значительно раскрыли принцип изготовления и управления устройствами памяти следующего поколения», — сказал доктор Донг-Ик Сон.

В дальнейшем ученые планируют систематизировать технологию управления стеком для состава гетерогенных наноматериалов низкой размерности и расширить сферу ее применения.