Создана технология изготовления энергоэффективных полевых транзисторов

Технологию изготовления полевых транзисторов (MOSFET) на основе нитрида галлия (GaN) с низкими токами утечки и быстрым переключением разработали американские компании Applied Novel Devices (AND) и SkyWater Technology, 17 января пишет британский журнал об электронике Electronics Weekly.

Новые транзисторы, согласно заявлениям разработчиков, имеют почти нулевое время обратного переключения, уменьшенный вдвое выходной заряд (Qoss) и низкое удельное сопротивление. Эти преимущества позволяют обеспечивать высокочастотную работу с малыми потерями энергии.

Сообщается, что удельное сопротивление транзистора в открытом состоянии составляет менее 5 мОм на мм² при постоянном токе напряжением 30 В и управляющем напряжении 2,5 В. Малый выходной заряд и близкое к нулю время восстановления позволяют отказаться от использования диодов Шоттки в цепях.

Компании добились возможности опытного производства таких транзисторов с рабочим напряжением в диапазоне от 15 до 80 В. В дальнейшем планируется расширить номенклатуру, создав транзисторы, которые бы закрыли потребность в диапазоне от 200 до 1000 В.

Новые транзисторы предназначены для электромобилей, электроэнергетики и промышленного применения.