Ученые изготовили радиационно стойкие транзисторы из углеродных нанотрубок

Защищенные от интенсивной космической радиации полевые транзисторы изготовили исследователи из Американского химического общества, 27 октября сообщает журнал ACS Nano.

Ученые нанесли углеродные нанотрубки на кремниевую пластину в качестве полупроводникового слоя полевого транзистора. Затем они протестировали различные конфигурации транзисторов с различными уровнями экранирования, состоящими из тонких слоев оксида гафния, титана и платины вокруг полупроводящего слоя.

Было обнаружено, что размещение экранов как над, так и под углеродными нанотрубками защищает транзистор от входящего излучения до значения 10 Мрад — уровень, намного превышающий тот, при котором могут работать большинство радиационно-стойких электронных устройств на основе кремния.

Расположение экрана только под углеродными нанотрубками, защищало полупроводник от излучения 2 Мрад, что сопоставимо с коммерческой радиационно-стойкой электроникой на основе кремния.

Наконец, чтобы достичь баланса между простотой изготовления и устойчивостью к излучению, ученые создали микросхемы статической оперативной памяти (SRAM) из полевых транзисторов с нижним экраном. Как и в экспериментах, проведенных на одиночных транзисторах, микросхемы показали такой же порог радиационной устойчивости.

Эти результаты показывают, что полевые транзисторы из углеродных нанотрубок, особенно с двойным экранированием, могут стать перспективными для изготовления космической электроники следующего поколения.