Samsung провела церемонию закладки фундамента полупроводникового комплекса

Компания Samsung Electronics Co. провела церемонию закладки фундамента нового комплекса по исследованиям и разработкам в области полупроводников к югу от Сеула, 19 августа сообщает агентство Yonhap.

Южнокорейский технологический гигант планирует инвестировать около 20 трлн вон ($15,06 млрд) к 2028 году в комплекс площадью 109 000 м² на территории своего кампуса Гихын в Йонъине, в 50 км к югу от Сеула. Ожидается, что объект поможет Samsung стать лидером в области передовых исследований в области памяти и системных полупроводников.

В церемонии приняли участие около 100 руководителей и сотрудников Samsung, в том числе вице-председатель Ли Чжэ Ён, который на прошлой неделе был помилован президентом за взяточничество в отношении бывшего свергнутого президента Пак Кын Хе. Это было первое публичное выступление Ли после его помилования.

«Давайте продолжим традицию ориентированных на технологии первоначальных инвестиций. Давайте создадим будущее с помощью технологий, которых в настоящее время не существует в мире», — добавил он.

После помилования Ли заявил на прошлой неделе, что будет усерднее работать, чтобы выполнять свои обязанности бизнесмена и «помогать экономике, создавая больше рабочих мест для молодежи».

Samsung заявила, что планирует укрепить сотрудничество с южнокорейскими и зарубежными партнерами в области материалов, деталей и оборудования за счет строительства научно-исследовательского комплекса.

После церемонии Ли провел встречу с сотрудниками Samsung в соседнем кампусе компании в Хвасоне и обсудил способы продвижения инноваций внутри компании. Сообщается, что Ли призвал сотрудников работать над формированием гибкого мышления, чтобы научиться адаптироваться к новым тенденциям и изменениям.