Тайвань с новой микроэлектронной технологией опять опередил конкурентов
Новая версия техпроцесса с нормами 5 нм тайваньской компании TSMC на 87% повысит плотность размещения транзисторов на кристалле, заявили специалисты портала WikiChip в материале, опубликованном 21 марта.
Аналитики сравнивали технологию N5(P), материалы о которой появились совсем недавно, с техпроцессом N7 (7 нм, самый передовой техпроцесс компании, используемый сейчас в массовом производстве микросхем). На одном квадратном миллиметре будет помещаться 171,3 млн транзисторов. Сейчас этот показатель составляет 91,2 млн для техпроцесса 7 нм.
Такая плотность, по мнению специалистов WikiChip, выше, чем перспективный техпроцесс 5 нм корейской компании Samsung.
Напомним, TSMC являются мировыми лидерами по производству микросхем на заказ. Компании обладают самой передовой на сегодняшний день полупроводниковой технологией — 7 нм. Американская Intel по-прежнему испытывает трудности с внедрением технологии 10 нм.
Массовое производство на фабриках TSMC микросхем 5 нм первого поколения N5 должно начаться весной 2020 года. Новый техпроцесс N5(P) должен быть запущен в массовое производство в конце того же года.
Samsung закупает оборудование для обновления производственной линии под массовый выпуск с нормами 5 нм, которое может начаться в конце 2020 года. Таким образом, к моменту начала выпуска корейцами микросхем 5 нм тайваньцы запустят уже вторую версию этой технологии.
