Micron вышла в лидеры по уровню технологий производства чипов памяти
Лидером по уровню технологий производства оперативной памяти стала американская Micron, заявили исследователи аналитической компании TechInsights в материале, опубликованном 14 июля ее пресс-службой.
Специалисты TechInsights исследовали микросхему памяти Micron, произведенную по самому передовому техпроцессу, называемому 1a нм. Согласно измерениям TechInsights, плотность информации на кристалле составила 0,315 Гб/мм2. Это примерно соответствует размерам полупроводниковых структур 14,3 нм. Это самое маленькое значение в отрасли. Техпроцесс 1z нм корейского Samsung, одного из главных конкурентов Micron, дает плотность 299 Гб/мм2, то есть меньше, чем у американской компании.
Специалисты отмечают странность относительно используемого компаниями оборудования. Samsung заявляла, что использует самые современные сканеры, работающие с жестким ультрафиолетом (EUV) и дающие возможность создавать на кристалле кремния полупроводниковые структуры еще меньшего размер, а Micron нет. Однако нормы техпроцесса у американской компании получаются выше.
Напомним, производители памяти не раскрывают точных характеристик своих технологий и обозначают техпроцессы не точными размерами полупроводниковых структур на кристалле, а буквами, маркирующими поколение техпроцесса. Нормы техпроцессов 1x, 1y, 1z и 1a должны находиться в пределах от 20 нм до 10 нм, но какие они у каждого из производителей, официальной информации практически нет.
В начале мая 2021 года официальный представитель Samsung заявил, что новый техпроцесс компании D1a будет давать возможность создавать на кристалле структуры с размерами 14 нм. Таким образом понятно, что все предыдущие техпроцессы давали нормы с большими размерами.
Выпуск продукции по техпроцессу D1a Samsung намерена начать в 2021 году.
Samsung, Micron и еще одна корейская компания SK Hynix составляют так называемую «большую тройку» производителей оперативной памяти. Им принадлежит 95% мирового рынка.
