Исследователи представили дорожную карту развития транзисторов менее 1 нм
Дорожную карту производства устройств на основе транзисторов до 2036 года представили исследователи международного микро- и наноэлектронного научно-исследовательского центра Imec, 21 мая сообщает американское интернет-издание о компьютерных технологиях Tom’s Hardware.
Дорожная карта предполагает как технологические процессы изготовления чипов в единицах нанометров, так и в ангстремах. Она представлена на мероприятии Future Summit в Антверпене, Бельгия.
Дорожная карта начинается с уже реализованных в массовом производстве техпроцессов, либо ожидаемых в этому году — N7, N5, N3 (7, 5 и 3 нм). В 2024 году предполагается переход к техпроцессу 2 нм (N2), после этого обозначения изменятся.
В 2026 году ожидается техпроцесс A14 (A от ангстрем — 10-10), который можно было бы представить как 1,4 нм. К 2036 году планируется дойти через A10, A7, A5, A3 до A2, то есть то техпроцесса 2 ангстрема.
Материал также предполагает смену архитектуры транзистора на определенных пороговых значениях. Транзисторы FinFET предполагается использовать до 3 нм, GAAFET (Gate All Around) — с 2 нм, конструкцию «с разветвленными листьями» — c 7 ангстрем, транзисторы CFET (Complementary-Field Effect Transistors) — с 5 ангстрем и атомные каналы с 2 ангстрем.
Центр Imec занят разработкой перспективных электронных приборов, которые будут производиться через несколько (до 10) лет. С центром взаимодействуют все крупнейшие производители микросхем.
