Высокоэффективный и экономичный мемтранзистор разработали в Корее
Разработать материал для нейроморфного полупроводника следующего поколения удалось исследователям из Департамента энергетики и электронных материалов Корейского института материаловедения, 1 октября сообщает журнал Advanced Functional Materials.
Нейроморфное полупроводниковое устройство имитирует работу нейронной сети. В новом мемтранзисторе используется двумерный наноматериал толщиной в несколько нанометров.
Имитируя электрическую пластичность нервных синапсов с помощью более чем 1000 электрических стимуляций, исследователям удалось получить высокую скорость распознавания образов — около 94,2% (98% скорости распознавания образов на основе моделирования).
«Использование высоконадежного полупроводника с искусственным интеллектом на основе мемтранзисторной структуры новой концепции может значительно снизить плотность тока и энергию. Ожидается, что в будущем он будет применен к маломощным периферийным вычислениям и носимым системам искусственного интеллекта», — сказал доктор Юнг-дэ Квон из KIMS.
В настоящее время аппаратное обеспечение искусственного интеллекта, состоящее из графических процессоров, ПЛИС и ASIC, потребляет большое количество энергии и средств. Поэтому ожидается, что новое устройство вызовет взрывной спрос по мере роста отрасли в будущем.
Ожидается, что рынок носимых ИИ достигнет 42,4 миллиарда долларов к 2023 году и в среднем составит 29,75% по сравнению с примерно 11,5 миллиарда долларов в 2018 году.
