Новая технология печати процессоров от IBM и Samsung удвоит их мощность
Совместная разработка компаний IBM и Samsung позволит вдвое увеличить производительность процессоров и на 85% сократит их энергопотребление, сообщили представители компаний 13 декабря в ходе презентации технологии на Международной конференции электронных компонентов (IEDM).
Представители компании рассказали, что создали технологию вертикального размещения кристаллов кремния на печатной плате Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET). Это позволит размещать их значительно ближе друг к другу и резко скажется на потреблении электроэнергии. Кроме того, благодаря данной технологии окажется возможным создавать чипы с использованием техпроцесса менее 1 нм.
Особенность будет заключаться в том, что чипы либо будут обладать повышенной производительностью, либо пониженным энергопотреблением. На какие именно качества сделать акцент, придется выбирать производителям готовой продукции, в зависимости от устройств, для которых они будут разрабатываться. Например, настольный персональный компьютер больше нуждается в повышенной производительности, в то время как ноутбук либо сотовый телефон сильно зависят от автономности элемента питания.
Стоит отметить, что разработчики пока не сообщают, на какой стадии находится разработка технологии.
Напомним, процессоры, произведенные по технологии 2-нм, были продемонстрированы IBM в мае 2021 года и их промышленное производство намечено на 4 квартал 2024 года. Крупнейшие производители микросхем Samsung и TSMC также сообщили о готовности двигаться в сторону производства микросхем по техпроцессу 1-нм. Как сообщала в мае 2021 года TSMC, технология производства таких устройств уже почти готова.
