Китайские ученые разработали механизм сверхскоростной памяти устройств
Китайские исследователи обнаружили новый механизм для разработки энергонезависимых устройств памяти со сверхвысокой скоростью, сообщили в Институте физики Китайской академии наук, сообщает 4 мая газета China Daily.
Разработка высокопроизводительных устройств памяти сыграла ключевую роль в современных электронных инновациях. Энергонезависимые устройства памяти, включая постоянные запоминающие устройства и флэш-память, обладают высокой емкостью и механической надежностью. Но их производительность была ограничена низким коэффициентом выхода и низкими рабочими скоростями.
Исследовательская группа из Института физики разработала энергонезависимые устройства памяти с плавающими затворами со сверхвысокой скоростью на основе гетероструктур ван дер Ваальса с атомарно-острыми интерфейсами между различными функциональными элементами с коэффициентом экстинкции до 10 миллиардов.
Такие запоминающие устройства могут выполнять операции чтения и записи в диапазоне 20 наносекунд и хранить данные не менее десяти лет. Текущие коммерческие устройства флэш-памяти считывают и записывают данные в диапазоне 100 микросекунд или 100 000 наносекунд.
Гетероструктуры ван дер Ваальса изготавливаются путем укладки различных слоистых материалов и могут быть использованы в различных областях исследований, начиная от материаловедения и заканчивая электрохимией.
Исследование, финансируемое Национальным фондом естественных наук Китая, министерством науки и технологий и Китайской академией наук, было опубликовано в журнале Nature Nanotechnology.
