Micron анонсировала первую в отрасли 232-слойную флэш-память 3D NAND
Первую в отрасли 232-слойную микросхему флэш-памяти 3D NAND анонсировала американская компания Micron Technology, 13 мая сообщает американское интернет-издание о компьютерных технологиях Tom’s Hardware.
Микросхема создана на основе трехбитных ячеек TLC. Ее емкость составляет 1 Тбит (128 Гбайт). Сообщается, что используемая архитектура микросхемы позволяет не только увеличить плотность размещения данных, но и снизить стоимость.
В компании использовали архитектуру КМОП под массивом (CuA). Утверждается, что 232 слоя получены за счет размещения двух массивов памяти друг над другом в рамках одной структуры.
Конкретные характеристики производительности перспективной микросхемы в Micron не сообщили. Сообщается лишь, что скорость будет выше по сравнению с существующими решениями. Микросхема будет особенно полезна в твердотельных накопителях с интерфейсом PCI-E 5.0.
Также в Micron заявили о более низком энергопотреблении по сравнению с узлами предыдущего поколения. Это станет еще одним преимуществом, считают в компании, особенно при использовании в мобильных устройствах.
