Samsung решил резко повысить качество микросхем флеш-памяти

Специальную группу по устранению большого количества брака среди 128-слойных микросхем флеш-памяти создал корейский Samsung, сообщает 18 июня ресурс SamMobile.

Конкуренция на рынке многослойной памяти усилилась после того, как на рынок, на котором доминировала «большая тройка» производителей памяти — Samsung, SK Hynix и Micron — вышла китайская YMTC, которой удалось догнать ведущих производителей по уровню технологий. В этих условиях Samsung стремится повысить выход годных микросхем при сложном производстве.

Напомним, многослойные модули флеш-памяти позволяют увеличить плотность размещения информации при сохранении площади микросхемы. Слои соединяются при помощи отверстий, которые необходимо в них просверлить и покрыть проводящим материалом. Эта операция является очень сложной, и при сверлении кремниевые пластины микросхем могут повредиться и перестать работать.

После известий о выходе китайской YMTC на рынок 128-слойной памяти Samsung объявила о наращивании усилий по ускорению коммерческого выпуска следующего поколения флеш-памяти из 160 слоев.

Флеш-память используется как энергонезависимый носитель информации в мобильных устройствах, где невозможно задействовать классические жесткие диски из-за их большого размера. Также на флеш-памяти строятся твердотельные накопители SSD, сильно опережающие по быстродействию жесткие диски, но имеющие ограниченное количество циклов записи.