В США совершили фундаментальный прорыв в области флеш-памяти

Ячейку компьютерной энергонезависимой памяти размером в один квадратный нанометр на основе новой технологии мемристоров создали инженеры Техасского университета, 23 ноября сообщает издание New Atlas.

Названный создателями «атомристором» элемент позволит в будущем радикально увеличить плотность записи носителей памяти за счет малых размеров — порядка атомов. В качестве базовой технологии используется резистивное переключение — то есть, сопротивление элемента зависит от того, записан в нем 0 или 1.

В случае данной разработки, сопротивление элемента регулируется одиночными атомами, выходящими или входящими в отверстия нанометрового размера. В качестве материала используется дисульфид молибдена.

Если удастся промасштабировать данную технологию до размеров потребительских устройств, удастся достигнуть плотности записи до 25 терабайт на квадратный сантиметр, то есть, на два порядка больше плотности записи современной флеш-памяти. Кроме того, улучшатся и показатели энергопотребления.