В Китае создан свой фоточувствительный материал для 7 нм техпроцесса
Фоточувствительный материал, который можно применять для техпроцессов до 7 нм, разработан компанией Jiangsu Nata Opto, 22 мая сообщает веб-сайт cnTechPost.
Сейчас 85% производства фоторезиста для тонких техпроцессов сосредоточены в руках пяти компаний из США и Японии. В условиях торговой войны с США, Китай вынужден локализовать производственные цепочки микроэлектронной продукции.
Созданный Jiangsu Nata Opto фоторезист послужит для DUV-литографии (ультрафиолетовый спектр, наиболее используемые лазерные установки с длиной волны 248 — KrF и 193 нм — ArF). Причем новый материал может работать как для сухой, так и иммерсионной (с погружением кремниевых пластин в жидкость) литографии.
Глубокий ультрафиолет — EUV, в Китае пока не освоили. Впрочем, ряд оптических ухищрений позволяет делать на 193 нм лазерах 7 нм полупроводниковую продукцию. Ранее в КНР выпускался фоторезист только для очень грубых техпроцессов на лазерах с длинами волны 436 и 365 нм.
Компания уже отправила пробные образцы фоторезиста своим партнерам, а вот серийный выпуск в объеме 25 тонн в год планируется наладить только через три года.
Фоторезист служит для послойного переноса рисунка расположения проводников электронной схемы на кремниевую основу. После подготовки электронной схемы будущего чипа создаются специальные матрицы — фотошаблоны. Через фотошаблон соответствующим излучением фиксируется часть фоторезистивного материала, нанесенного на покрытую проводящим слоем кремниевую подложку. Затем пластину травят химическим раствором, и не засвеченная часть фоторезиста растворяется. Следом растворяется токопроводящий слой под этими областями фоторезиста.
