Разрабатываемые процессоры Intel для ПК сменят разъем подключения
Сокет (разъем подключения) с BGA1528 на LGA1700 сменят разрабатываемые компанией Intel процессоры семейства Alder Lake-S, 25 января сообщает ресурс 3DNews.
Процессоры семейства Alder Lake-S, предназначенные для настольных персональных компьютеров (ПК), выйдут через одно поколение. Перед ними еще ожидается семейство Comet Lake-S, которое будет выполнено по тому же техпроцессу 14 нм, что и имеющиеся в продаже микропроцессоры. Alder Lake-S уже будут производиться по техпроцессу 10 нм или даже 7 нм.
Новый сокет будет иметь физические размеры 45×37,5 мм, что больше, чем у предшественника. Увеличение количества контактов с 1 528 до 1 700, видимо, обусловлено поддержкой следующей версии интерфейса PCI-E (4.0) и возможностью работать с оперативной памятью DDR5 SDRAM.
У этого решения есть и обратная сторона. Изменение сокета означает, что материнские платы для Comet Lake-S не будут поддерживать процессоры семейства Alder Lake-S даже с обновлением BIOS. Значит, для апгрейда компьютера пользователю придется купить не только новый процессор, но и, как минимум, материнскую плату.
А вот с оперативной памятью не все так однозначно. Полноразмерные планки DDR5 сохранят те же 380 контактов, что и у DDR4. Правда, уменьшится напряжение питания с 1,2В до 1,1В. Возможно, будут материнские платы, которые смогут поддерживать оба поколения оперативной памяти.
Читайте также: На CES 2020 представлена оперативная память нового поколения DDR5
Ранее в Intel обещали выпустить процессоры по техпроцессу 7 нм в 2022 году. Правда, сначала будут выпущены решения не для настольных компьютеров, а для серверов.
Кроме того, в Intel планируют воспользоваться мощностями тайваньского контрактного производителя микроэлектроники TSMC для изготовления изделий, отличных от микропроцессоров, по техпроцессу 7 нм.
Читайте также: Компания Intel может стать в очередь за передовыми техпроцессами TSMC
Стоит отметить, что 7 нм у TSMC – это не одно и то же, что техпроцесс 7 нм от Intel. Техпроцесс Intel имеют заметно более высокую плотность размещения транзисторов.
