Новое поколение высокоскоростной памяти представила компания Rambus
Конструктивное решение для создания высокоскоростных модулей оперативной памяти нового поколения разработала компания Rambus, 18 августа сообщает портал TomsHardware.
Rambus предлагает производителям электронных устройств решение, которое позволит поднять скорость обмена данными между процессором и оперативной памятью до 1.075 ТБайт/c. Оно основано на новом стандарте высокоскоростной памяти (HBM — high bandwidth memory) версии 3 — HBM3.
Скорость увеличилась более чем в 2 раза по сравнению с предыдущим поколением памяти (HBM2E). Разработчикам удалось поднять в 2 раза и объем памяти до 64 ГБайт на один пакет кристаллов.
По оценкам Rambus, первые образцы микросхем с использованием этой технологии появятся в конце 2022 года или начале 2023 года.
Напомним, в связи с постоянным ростом производительности процессоров канал связи с оперативной памятью стал узким местом вычислительных устройств. Для преодоления этой проблемы была предложена технология высокоскоростной памяти (HBM).
В HBM нескольких кристаллов памяти располагаются вертикально друг над другом и при этом можно обращаться одновременно к ячейкам памяти любого из них. Это позволяет в несколько раз увеличить количество линий связи, по которым идет обмен данными, а соответственно увеличить и скорость.
Стоимость модулей памяти технологии HBM остается пока высокой. Поэтому она не применяется в устройствах для обычных потребителей.
