Toshiba представила мощный полевой транзистор на основе карбида кремния

Полевой МОП-транзистор TW070J120B на основе карбида кремния (SiC), рассчитанный на напряжение 1 200 В представлен японской компанией Toshiba, 19 октября сообщил британский журнал об электронике Electronics Weekly.

За счет использования нового материала, относящегося к третьему поколению — SiC, транзистор получился заметно более экономичным и надежным. По сравнению с аналогичными кремниевыми транзисторами, TW070J120B обеспечивает снижение потерь электроэнергии на 80% при выключении и уменьшает время переключения на 70% при токе до 20 А.

Пороговое напряжение затвора специально выставлено на достаточно высоком уровне — от 4,2 В до 5,8 В. По мнению производителя, это позволяет уменьшить вероятность ложного включения или выключения.

Входная емкость обеспечена на уровне 1 680 пФ, а заряд затвор-вход — 67 нКл. Сопротивление сток-исток во включенном состоянии — 70 мОм. Транзистор выполнен в корпусе TO-3P.