Samsung представила флеш-память восьмого поколения со скоростью до 2,4 ГТ/с
Массовое производство микросхем флеш-памяти восьмого поколения с пропускной способностью 2,4 ГТ/с (гигатранзакций в секунду) начала южнокорейская компания Samsung, 6 ноября сообщает американское интернет-издание о компьютерных технологиях Tom’s Hardware.
Новые микросхемы имеют емкость 1 Тбит (128 Гб). В компании заявили, что они имеют самую высокую плотность хранения данных в отрасли. При этом размеры микросхем или конкретные цифры плотности в компании не сообщили.
В Samsung заявили, что новое поколение памяти дает на 20% большую производительность, чем предыдущее. Предполагается, что микросхемы являются 236-слойными.
Утверждается, что на базе новых микросхем можно построить твердотельные накопители (SSD) со скоростью 12,4 Гбит/с при использовании интерфейса PCI-E 5.0 x4 (NVMe). Конкретные накопители на новой памяти в компании пока не анонсировали.
