Японский министр прибыл с инспекцией в исследовательский центр в США
Передовой исследовательский центр полупроводников в городе Олбани, штат Нью-Йорк (США) проинспектировал министр промышленности Японии Коити Хагиуда, 4 мая сообщает телерадиокомпания NHK.
Министр выразил надежду на укрепление сотрудничество в разработке чипов следующего поколения. Во время своей поездки Хагиуда планирует встретиться с министром торговли США Джиной Раймондо и министром энергетики Соединенных Штатов Дженнифер Гранхолм. Они также планируют выступить с совместным заявлением.
Источники сообщают, что в заявлении речь может идти о запуске новой платформы для диалога под председательством высокопоставленных чиновников с обеих сторон. Кроме того, оно может затронуть планы по обучению кадров.
В проекте заявления сказано о нацеленности на укрепление энергетической безопасности и развитие сотрудничества в области технологий улавливания, использования и хранения углерода. Например, технологии улавливания и хранения углерода (CCUS) используют углекислый газ в качестве топлива или хранят его под землей.
Напомним, конкуренция в мировой полупроводниковой промышленности усиливается. В ноябре 2021 года министерство промышленности Японии опубликовало план действий по оживлению этого сектора японской экономики.
Как ранее сообщалось, Хагиуда должен был отправиться в США, чтобы обсудить возможное сотрудничество. В издании Nikkei сообщали, что правительства США и Японии готовятся заключить соглашение о совместной работе над производством чипов по технологии 2 нм.
