Китайская YMTC анонсировала новое поколение флеш-памяти Xtacking 3.0

Изображение: (сс0)
Кремниевая пластина с чипами флэш-памяти NAND
Кремниевая пластина с чипами флэш-памяти NAND
Кремниевая пластина с чипами флэш-памяти NAND

Новое поколение флеш-памяти 3D TLC NAND анонсировала китайская компания Yangtze Memory Technologies (YMTC), 3 августа сообщает американское интернет-издание о компьютерных технологиях Tom’s Hardware.

Сообщается, что по сравнению со вторым поколением памяти Xtacking производительность повышена на 50%. Плотность увеличена вдвое — до 1 Тб на микросхему. Энергопотребление новой памяти снижено по сравнению с Xtacking 2.0 на 25%.

Производительность памяти заявлена на уровне 2,4 млн транзакций в секунду.

Отмечается, что компания, по всей вероятности, еще не использовала свою новую 196-слойную технологию памяти в анонсированных изделиях. Упоминаний о начале ее производства нет. Предполагается, что компания перешла на модель частых обновлений без накопления множества новых технологических решений за раз.

YMTC производит достаточно современную память. В то же время, она все еще отстает от мировых лидеров отрасли. Южнокорейская SK Hynix представил 238-слойную флеш-память. Американская Micron объявила о начале массового производства 232-слойной памяти.