Magnachip выпустила новые 150 В транзисторы для легкого электротранспорта

Новое поколение металлооксидно-полупроводникового полевого транзистора (MOSFET) MXT представила полупроводниковая компания Magnachip Semiconductor, 30 декабря пишет американский электронный журнал об электронике Semiconductor Digest.

Новый транзистор представляет восьмое поколение соответствующих устройств. Он рассчитан на работу с напряжением постоянного тока 150 В. Применять устройство планируется в контроллерах двигателей легких электромобилей и системах управления батареями питания.

По сравнению с прошлым поколением удалось снизить сопротивление сток-исток открытого канала (RDS (on)) на 28%. Также проведена работа по снижению накопления заряда на затворе транзистора, уменьшены размеры устройства и увеличена способность рассеивания тепла.

Гарантирована надежная работа транзистора в диапазоне температур от -55°C до 175°C. Повышена общая энергоэффективность устройства.