В Новосибирске создали материал для элементов памяти гибкой электроники
Гибкий материал для создания микроэлектронных компонентов хранения данных разработали исследователи Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 12 ноября сообщает издание «Наука в Сибири».
Разработанный композитный материал выдерживает многократные деформации и способен перезаписывать данные за 30 наносекунд, что примерно в 1000 раз быстрее распространенной сейчас флэш-памяти.
В качестве материала ячеек памяти выступает композитная пленка из фторированного графена и наночастиц оксида ванадия, причем для их создания используют 2D-принтер. Устройство наносит специальные чернила на полимерный материал, полученные таким образом ячейки памяти можно сгибать практически вдвое без потери функциональности.
«В нашей лаборатории разработана надежная, удобная и воспроизводимая технология получения фторированного графена, которой больше нет нигде в мире. 2D-печать, в свою очередь, не требует дорогостоящего оборудования, больших финансовых вложений», — отметил ведущий научный сотрудник, доктор физико-математических наук Ирина Антонова.
Направление гибкой электроники сейчас набирает популярность, подкрепляемое стремлением производителей создать гибкие телефоны, фитнес-браслеты и прочие гаджеты. В планах исследователей — достичь предельной плотности компонентов, чтобы увеличить объем хранимых данных.
Читайте также: Huawei представила свой первый смартфон с гибким экраном.
Напомним, 24 февраля Компания Huawei представила смартфон с гибким экраном Huawei Mate X. Особенностью новинки является возможность складывания пополам. В сложенном состоянии устройство является безрамочным смартфоном с диагональю 6,38 дюйма, в разложенном — планшетом с диагональю 8 дюймов.
