Тюменские физики сделали еще один шаг к сильному искусственному интеллекту
Разработку нового нейропроцессора, который позволит после совершенствования его особой биоморфной нейросети осмысливать полученные новые ассоциации (новое знание) и тем самым совершить переход к сильному искусственному интеллекту, ведут исследователи Лаборатории наноматериалов и наноэлектроники Тюменского государственного университета (ТюмГУ), сообщает 1 ноября пресс-служба ТюмГУ.
Результаты своих последних исследований вузовские ученые представили в статье «Технология изготовления и электрофизические свойства комбинированного мемристорно-диодного кроссбара, являющегося основой аппаратной реализации биоморфного нейропроцессора», опубликованной в журнале Neural Computing and Applications.
Исследователи создали прототип композитной мемристорно-диодной перемычки (кроссбара) как основы для матрицы памяти и логической матрицы аппаратного обеспечения биоморфного нейропроцессора.
Это устройство представляет собой массив синапсов для нейропроцессора, воспроизводящий работу кортикального модуля мозга — группы нейронов, расположенной в коре головного мозга перпендикулярно его поверхности.
Нейропроцессор работает по биологически подобному механизму, и при его совершенствовании это позволит говорить о возможном переходе от слабого к сильному искусственному интеллекту.
Мемристор представляет собой пассивный двухполюсник, изменяющий свое электрическое сопротивление в зависимости от протекшего через него электрического заряда.
При этом изменение сопротивления энергонезависимо, то есть сохраняется в течение длительного времени после снятия внешнего электрического поля. Характеристики мемристоров позволяют создавать на их основе искусственные аппаратные синапсы.
Созданный исследователями массив мемристорно-диодных ячеек как основы запоминающей и логической матриц нейропроцессора был изготовлен с помощью нанотехнологии образования полупроводниковых слоев диода Зенера и мемристорного слоя из специально подобранных материалов, обеспечивающих необходимые эксплуатационные характеристики.
При этом ученые унифицировали технологию магнетронного распыления так, что изготовление как диодов, так и мемристоров, может быть выполнено за один технологический цикл.
Результатом работы исследователей стала впервые продемонстрированная генерация новой ассоциации (нового знания) в изготовленном интегральном мемристорно-диодном кроссбаре, а не в результате самообучения существующих аппаратных нейросетях с синапсами, созданными на дискретных мемристорах.
Экспериментальные данные показывают эффективность работы комбинированного мемристорно-диодного кроссбара как основы запоминающей и логической матриц.
Разработка тюменских ученых создает предпосылки для изготовления прототипа нейропроцессора нового поколения, который будет качественно отличаться от существующих нейропроцессоров на простых нейронах, работающих в системах со слабым искусственным интеллектом.
Такие нейропроцессоры позволят в будущем осмысливать полученные новые ассоциации (новое знание), совершив тем самым переход от слабого к сильному искусственному интеллекту.
