Япония решила вложить $2,38 млрд в разработку полупроводников вместе с США
Расходы в объеме 350 млрд иен ($2,38 млрд) на совместные исследования перспективных полупроводников включены в бюджетный законопроект властями Японии, 5 ноября пишет японский англоязычный журнал Nikkei Asian Review.
Сообщается, что в обсуждаемый бюджет на будущий год включено три статьи, связанных с разработкой и производством полупроводниковой продукции.
В частности, в бюджет заложены траты на расширение производства микросхем на территории Японии. На это запланировано потратить 450 млрд иен.
350 млрд иен заложено на исследования полупроводников следующего поколения. Эти планируется заняться совместно с США. Еще 370 млрд иен планируется инвестировать в обеспечение отрасли необходимыми материалами.
