ФБР обвинило китайского бизнесмена в попытке кражи коммерческой тайны
Обвинение в сговоре с целью кражи коммерческих секретов и интеллектуальной собственности General Electric было предъявлено китайскому бизнесмену Чи Лунг Винсман Нг, 26 февраля сообщает пресс-служба Министерства юстиции США.
Согласно обвинительному заключению, проживающий в Гонконге Чи Лунг вступил в сговор с инженером General Electric более семи лет назад для кражи технологий производства МОП-транзисторов (MOSFET) из карбида кремния. В дальнейшем они планировали создать компанию в Китае по их производству.
Однако в сообщении министерства отмечается, что доказательств того, что имела место незаконная передача технологии MOSFET каким-либо китайским компаниям, не имеется.
Напомним, максимальное наказание, которое грозит обвиняемому в случае признания его виновным, это лишение свободы до 10 лет со штрафом в размере $250 тысяч.
