В Индии разработали СВЧ-микросхемы для важных военных систем

Микросхемы для передовых радиолокационных систем, средств радиоэлектронной борьбы и электронные матрицы для «зрения» ракет разработали специалисты Организации оборонных исследований и разработок Индии, сообщает 30 октября газета The Economic Times.

Согласно сообщению, новые полупроводниковые изделия Организация оборонных исследований и разработок Индии (DRDO) представила на конференции по перспективным наукам, технологиям и инновациям (ESTIC) 2026, проходившей в Нью-Дели с 27 по 29 октября.

Помимо прочего, DRDO представила монолитные интегральные схемы СВЧ (MMIC) и инфракрасные фокальные плоскостные матрицы (IRFPA), разработанные Лабораторией физики твердого состояния в Дели (SSPL).

Данные микросхемы созданы на основе арсенида галлия (GaAs) и нитрида галлия (GaN).

«Эти технологии служат важными строительными блоками для передовых радиолокационных систем и средств радиоэлектронной борьбы», — объясняется в публикации.

В свою очередь, IRFPA предназначены для создания сенсоров инфракрасных головок самонаведения боевых ракет.

В публикации отмечен рост уровня разработок индийских лабораторий и предприятий по производству полупроводников. Помимо SSPL, названы Центр перспективных технологий на основе арсенида галлия (GAETEC), Центр полупроводниковых технологий и прикладных исследований (STARC) и Полупроводниковая лаборатория (SCL).

«[Они] накопили опыт в области арсенида галлия (GaAs), нитрида галлия (GaN), микроэлектромеханических систем (MEMS) и зрелых технологий производства кремния», — говорится в сообщении.

Напомним, в середине августа премьер-министр Индии Нарендра Моди заявил во время празднования 80-й годовщины Дня независимости страны о начале нового этапа программы по созданию полупроводниковой промышленности.