Ученые Токийского университета создали новый тип энергонезависимой памяти

Новый тип энергонезависимой ячейки хранения данных с высокой плотностью разработали исследователи Института промышленных наук Токийского университета, 12 июня сообщает пресс-служба университета.

Ученые изготовили трехмерные полевые транзисторы вертикальной формы для производства устройств хранения данных с высокой плотностью с помощью ферроэлектрического изолятора затвора и полупроводникового канала, сформированного путем атомно-слоевого осаждения.

Такие ячейки памяти позволяют создать устройства постоянного накопления информации с большей плотностью размещения данных по сравнению с флэш-памятью и меньшим энергопотреблением. Последнее достигается за счет того, что для перезаписи данных требуется совсем крошечный заряд.

Ячейка памяти имеет многослойную структуру и состоит из сегнетоэлектрических (оксид гафния) и антисегнетоэлектрических полевых транзисторов с оксидно-полупроводниковым каналом с напылением атомного слоя.

Информация хранится в сегнетоэлектрическом слое. Антисегнетоэлектрический слой позволяет эффективно перезаписывать информацию. Вертикальная структура позволяет увеличить плотность размещения ячеек в чипе памяти.

Опытное устройство стабильно отработало в течение 1 тыс. циклов перезаписи. Исследователи считают, что решение позволит создавать гораздо более эффективную энергонезависимую память в будущем.