1. За рубежом: реальный мир
  2. Электроника в мире
Чжухай, / ИА Красная Весна

Китайская Innosilicon смогла разогнать память LPDDR5X до 10 Гбит/с

Изображение: Samsung
Модуль оперативной памяти LPDDR5X
Модуль оперативной памяти LPDDR5X
Модуль оперативной памяти LPDDR5X

Демонстрацию работы перспективной мобильной оперативной памяти LPDDR5X на скорости 10 Гбит/с провела китайская компания Innosilicon, 23 июня сообщает американское интернет-издание о компьютерных технологиях HotHardware.

Официальная спецификация комитета инженерной стандартизации полупроводниковой продукции (JEDEC) при альянсе отраслей электронной промышленности США (EIA) подразумевает максимальную скорость чипов LPDDR5X в 8533 Мбит/с.

Инженеры Innosilicon смогли добиться скорости 10 Гбит/с. Это на 17% выше, чем подразумевает спецификация. При этом удалось на 15% снизить задержки доступа, что заметно увеличило скорость при операциях случайного доступа.

Максимальная пропускная способность при продемонстрированной скорости достигает 80 Гбайт/с по сравнению с 68,2 Гбайта/с максимально заявленных в спецификации и 51,2 Гбайта/с для типовой сейчас LPDDR5-6400.

Ранее рекордной заявлялась скорость, достигнутая компанией Samsung серийно производимых чипах LPDDR5X-8500. Эти чипы производятся по техпроцессу 14 нм и Samsung заявляет их в качестве первых в отрасли.

Нашли ошибку? Выделите ее,
нажмите СЮДА или CTRL+ENTER


Другие статьи из сборника «Украинство»