Тайвань отстал в новых полупроводниковых материалах на 20–30 лет — Actron
Тайвань отстает от мировых лидеров в разработке полупроводниковых материалов третьего поколения на 20–30 лет, заявил председатель совета директоров компании Actron Technology М. К. Лу на церемонии открытия Taiwan Compound Semiconductor Alliance, 3 мая сообщает тайваньское издание об информационных технологиях и электронике DigiTimes.
Лу обратил внимание на отставание Тайваня во всем цикле производства полупроводниковой продукции третьего поколение. Отставание начинается от разработки новых материалов, продолжается в оборудовании и развитии производственной экосистемы и распространяется вплоть до конечного производственного цикла.
Глава Actron обратил внимание, что Китай инвестировал в разработку полупроводниковых приборов на новых материалах $618 млрд, Япония — $91 млрд. В этих условиях, считает он, необходимы значительные инвестиции со стороны правительства Китайской республики и формирование мощного альянса разработчиков, чтобы догнать мировых лидеров.
Лу также является почетным председателем компании Sino-American Silicon Products (SAS) — производителя различных полупроводниковых устройств.
SAS приобрела доли в производствах устройств на основе арсенида галлия (GaAs) и карбида кремния (SiC). Компания объединила усилия с другими производителями — AWSC, GlobalWafers, Actron и Episil Holding для создания передовых компонентов на базе карбида кремния. Он сообщил также, что Actron нарастит производственные мощности по выпуску полевых транзисторов SiC в 2022–2023 годах, в первую очередь, для рынка электромобилей.
Напомним, карбид кремния используется в производстве мощных полевых транзисторов с лучшими характеристиками, чем у аналогов на основе кремния. Такие транзисторы пользуются широким спросом у производителей электромобилей, поскольку там присутствуют мощные управляемые силовые цепи.
Арсенид галлия является более дешевым аналогом арсенида германия. Но не безвредным для здоровья в определенных условиях. Применяется в производстве компонентов для мощных источников питания.
