В Японии решили проблему создания чипов с тончайшими пленками металла
Проблему возникновения физического напряжения в слоях металла на кристаллах кремния при производстве микросхем удалось решить японским ученым из токийского университета, сообщил 3 июля портал EurekAlert.
Напряжение в тонких пленках металла на кристалле кремния со временем приводило к возникновению трещин в кристаллах и выходу их строя. Напряжение можно снимать, если при нанесении нагревать металл до определенных температур. Однако при применении тугоплавких металлов эти температуры становятся настолько высокими, что кристалл кремния их не выдерживает и портится.
Японские ученые предложили усовершенствовать другую технологию нанесения металла — его магнетронное осаждение на кристалл после распыления. Здесь проблема была в одновременной с напылением подаче импульса смещения на подложку. Команда токийского университета добилась низкого напряжения в слоях металла, посылая импульс с задержкой 60 микросекунд. В таком случае напряжение в вольфрамовой пленке составляло 0,03 ГПа, что является рекордно низким.
Специалисты считают, что новая технология найдет свое применение в техпроцессах изготовления микросхем следующего поколения.
Напомним, самые передовые техпроцессы работают с полупроводниковыми структурами размером в единицы нанометров. Тайваньская TSMC и корейский Samsung освоили массовое производство чипов с нормами 5 нм. На очереди освоение технологии 3 нм. С уменьшение этих характеристик ученым и инженерам приходится решать все больше проблем на пути создания новых технологий, что требует все больших и больших вложений.
