В Samsung рассказали, что готовят выпуск 200-слойных чипов флеш-памяти NAND

К началу производства 200-слойной 3D NAND флеш памяти приблизился корейский Samsung, заявил старший вице-президент компании, занимающийся вопросами производства памяти, Хан Чжин Ман, сообщило 29 июля издание The Korea Economic Daily.

У компании уже готов чип управления новым типом памяти восьмого поколения. Работы над ней ведутся согласно десятилетнему плану развития.

По словам Хан Чжин Мана, до 2022 года главенствовать среди продукции компании будет 176-слойная память, на основе которой компания намерена выпускать и твердотельные накопители. Они должны появиться на рынке во второй половине 2021 года.

Напомним, один из конкурентов Samsung — американская Micron — также объявила о разработке 176-слойных микросхем флеш-памяти.

Многослойная флеш память позволяет размещать больше ячеек хранения информации на единицу площади, чем обычная планарная память. Сложность при разработке новых поколений такой технологии представляет собой соединение контактами микросхем, находящихся на разных слоях модуля. Самым широко распространенным способом соединения является высверливание сквозных отверстий во всех слоях модуля и соединением их методом металлизации получившегося канала. Однако с уменьшением размеров структур на платах и увеличением количества слоев увеличиваются требования к точности сверления и его деликатности, чтобы кремниевые слои не растрескались.