МГУ совместно с РАН разработал новый прорывной материал для оптоэлектроники

Новая технология синтеза материалов для оптоэлектроники создана российскими учеными, об этом на своем портале 27 апреля сообщает 3Dnews со ссылкой на ресурс МГУ.

Ученые Московского университета им. Ломоносова (МГУ) совместно со специалистами из институтов Российской академии наук (РАН) создали плёнки на основе диоксида ванадия с показателями, до сих пор не имеющими аналогов в мире по параметрам проводимости. При сравнительно низких температурах (+68 градусов Цельсия) удалось получить резкое улучшение проводимости на 4–5 порядков.

Таким образом, удалось создать сверхбыстрые оптоэлектронные переключатели, управляемые температурой.

С помощью новейшего гидротермального метода (процесс роста кристаллов в условиях высоких температур и давления) ученым удалость вырастить внешне похожие по структуре на елочные иголки плёнки диоксида ванадия с рекордными характеристиками.

При достижении +68 градусов Цельсия сопротивление материала уменьшается почти на шесть порядков, а чувствительность в терагерцевом диапазоне становится рекордной (при 1,5 ТГц пропускание падает c 80% до 10%).

Российские ученые объяснили, что описанные разработки, несмотря на сложности (большое количество параметров), являются наиболее перспективными, поскольку созданные пленки получаются в производстве значительно дешевле именно этим методом.

В планах ученых понизить температуру при изготовлении и «совместить термоэлектрические свойства плёнок и их чувствительность к воздействию ИК- и терагерцевого излучений — это позволит расширить область использования».