Пластины из карбида кремния для электроники разработали ученые ИПмаш РАН

Способ изготовления высококачественных пластин из карбида кремния взамен кремниевых пластин для электроники разработали ученые Института проблем машиноведения РАН (ИПМаш РАН), заявили представители разработчиков 29 января, сообщает пресс-служба института.

«Ученые ИПМаш РАН первыми в РФ создали технологию производства главного материала для микроэлектроники будущего — карбида кремния — кристаллического материала для микроэлектроники, по характеристикам превосходящего использующийся в настоящее время кремний», —  заявили в пресс-службе.

Ученые рассказали, что технология получения пластин оказалась несложной и существенно дешевле имеющихся зарубежных аналогов.

Карбид кремния по сравнению с чистым кремнием может выдерживать существенно более высокие нагрузки. Данное обстоятельство позволяет изготавливать более производительные устройства.

Обычные кремниевые микросхемы работают стабильно в диапазоне температур до 60 °С, после чего устройства на кремнии начинают выходить из строя.

Ученые из ИПМаш РАН придумали вместо простого изъятия атомов кремния из пластин сразу заменять их на атомы углерода без разрушения кристаллической структуры.

«Впервые в мировой практике реализована последовательная согласованная замена атомов одного сорта другими атомами прямо внутри исходного кристалла без разрушения его кристаллической структуры», —  заявил один из разработчиков руководитель лаборатории структурных и фазовых превращений в конденсированных средах Сергей Кукушкин.

Как указал ученый, качество структуры слоев, полученных в ИПмаш РАН во много раз превосходит таковые у ведущих мировых компаний, а стоимость производства оказывается в 10 раз ниже аналогов.

Ученые отметили, что электроника на основе карбида кремния сможет функционировать почти при 300 °С. Также микросхемы из такого материала смогут выдержать высокое радиоактивное облучение космоса и ядерных станций.

Кукушкин подчеркнул, что масштабирование технологии позволило бы компаниям из РФ выступить в качестве мирового технологического лидера в области разработки полупроводников нового поколения.

Напомним, технологический суверенитет в РФ может быть достигнут на основе создания собственной электроники нового поколения. Ранее сообщалось, что в РФ были разработаны новые контакты для электроприборов нового поколения.