Ученый рассказал, что понадобится России для организации производства чипов
России необходимо развивать производство кремний-германиевых (SiGe) чипов как наиболее перспективных. Об этом заявил 28 апреля исполняющий обязанности декана радиотехнического факультета ОмГТУ Павел Пузырев в комментарии ИА Красная Весна.
России остро необходимы собственные фабрики по производству полупроводников, отметил ученый. Производство полупроводников — это высокотехнологичная отрасль, для ее создания потребуются огромные усилия.
«Фабрика по производству чипов, если очень кратко, включает в свой состав чистые помещения, инженерные помещения (для подготовки воды, газов и т.д), специализированное технологическое оборудование для выполнения нескольких десятков технологических операций и, конечно же, высококвалифицированный персонал», — объяснил Пузырев.
Чипы для разных применений — смартфонов, персональных компьютеров (ПК) и автомобилей — различаются технологией производства, схемотехникой, топологией, энергопотреблением, отметил эксперт. По его словам, если для чипа требуется малое энергопотребление, то необходим особый подход к проектированию и производству с малыми технологическими нормами — менее 5 нм.
«Чипы для ПК ориентированы на высокую производительность, которая во многом определяется максимальной тактовой частотой, которая в свою очередь также зависит от технологических норм», — рассказал Пузырев. Он добавил, в сфере сверхвысоко частотного (СВЧ) применения необходимы совершенно другие технологии производства чипов.
«В основном это кремний-германиевая (SiGe) и арсенид-галлиевая (GaAs). Причем технология производства на SiGe является более перспективной, т. к. на ней можно создавать чипы, которые содержат в себе как СВЧ аналоговые цепи, так и цифровые. В России, к сожалению, производства микросхем на SiGe нет», — заключил ученый.
Пузырев добавил, что в электронике для автомобильной промышленности важнее всего надежность компонент. Поэтому для автомобилей вполне успешно используют чипы с технологическими нормами производства более 28 нм.
Ученый рассказал о разработке топологии интегральных микросхем в Омском государственном техническом университете (ОмГТУ). По его словам, в ОмГТУ развивается стратегический проект по развитию чипов и микроэлектроники.
