Аморфный нитрид бора от Samsung ведет к новому поколению полупроводников

Новый материал — аморфный нитрид бора (a-BN) — открыли специалисты, работающие в институте SAIT (Samsung Advanced Institute of Technology), сообщает 6 июля официальный сайт группы компаний Samsung.

К открытию привела совместная работа команды SAIT и исследователей Ульсанского национального института науки и технологии (UNIST) и Кембриджского университета. Разработчики материала полагают, что a-BN поможет состояться пришествию полупроводниковых материалов нового поколения.

Аморфный нитрид бора состоит из атомов бора и азота с аморфной молекулярной структурой, получаемой на основе белого графена. Такое строение обеспечивает a-BN сверхнизкую диэлектрическую проницаемость, лучшую среди всех материалов подобного класса.

Благодаря уникальным электрическим и механическим свойствам новый материал может быть использован как высокоэффективный изолятор в полупроводниковой промышленности. Исследователи Samsung показали, что a-BN можно выращивать на подложке при достаточно низкой температуре в 400°C.

Специалисты полагают, что аморфный нитрид бора будет широко использоваться при производстве памяти DRAM и NAND, а также в памяти следующего поколения для серверных станций.