Ученые разработали алмазный транзистор
Высокоскоростной алмазный полевой транзистор высокой проводимости разработали исследователи NIMS, 24 февраля сообщает TechXplore.
Алмаз обладает превосходными полупроводниковыми свойствами и имеет широкую запрещенную зону, большую, чем у карбида кремния и нитрида галлия. Таким образом, алмаз потенциально может быть использован для создания силовой электроники и коммуникационных устройств, более энергоэффективных на более высоких скоростях, напряжениях и температурах.
Ученым удалось разработать высокопроизводительный полевой транзистор, используя гексагональный нитрид бора (h-BN) в качестве изолятора затвора вместо традиционно используемых оксидов (например, оксида алюминия). Они применили новую технологию изготовления, которая позволяет предотвратить воздействие воздуха на поверхность алмаза.
При высокой плотности дырок, их подвижность в пять раз выше, чем в обычных полевых транзисторах с оксидными изоляторами затвора. Полевые транзисторы с высокой подвижностью дырок могут работать с меньшим электрическим сопротивлением, тем самым уменьшая потери на проводимость, и могут использоваться для разработки быстродействующих и небольших электронных устройств.
Полученные результаты являются новым этапом в разработке эффективных алмазных транзисторов для высокопроизводительной силовой электроники и устройств связи. Ученые надеются еще больше улучшить физические свойства алмазного полевого транзистора и сделать его более пригодным для практического использования.
