Renesas решила выпускать силовые полупроводники на ранее закрытой фабрике

Запуск производства силовых полупроводниковых приборов на 300 мм пластинах на заводе в японском Кофу запланировала компания Renesas Electronics, 19 мая сообщает тайваньское издание об информационных технологиях и электронике DigiTimes.

Завод в Кофу был остановлен в октябре 2014 года. Он производил микросхема на 150 и 200 мм кремниевых пластинах. Теперь компания инвестирует 90 млрд иен ($697 млн) в переоборудование производства.

Производство после переоборудования получат 18 тыс м² чистых помещений. Установленное оборудование позволит производить полевые транзисторы и биполярные транзисторы IGBT на пластинах диаметром 300 мм.

Вывод производства на полную мощность позволит удвоить мощности Renesas по выпуску силовых полупроводниковых устройств.

«Эти инвестиции позволяют получить нашу самую большую линию по производству пластин с силовыми полупроводниками», — заявил генеральный директор компании Хидетоши Шибата.