16
март
2021
  1. Экономическая война
  2. Выдающиеся деятели России
Санкт-Петербург, / ИА Красная Весна

В день рождения Жореса Алфёрова Политех в Петербурге начал новый проект

Изображение: Открытые источники
Жорес Алферов
Жорес Алферов
Жорес Алферов

Спецпроект «Легенды отечественной науки» начинается со статьи о советском и российском физике Жоресе Алфёрове в день его рождения, сообщает пресс-служба управления по связям с общественностью Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого (Политех) 15 марта на официальном сайте.

Спецпроект «Легенды отечественной науки» приурочен к Году науки и технологий. Он представляет собой цикл статей о выдающихся людях, чей вклад в российскую и мировую науку является неоспоримым, и начинается в день рождения Жореса Ивановича Алфёрова (1930–2019) — человека, чей голос в защиту и поддержку развития отечественной науки звучал громче и авторитетнее всех.

Работы академика РАН, лауреата Нобелевской премии 2000 года Жореса Алферова открыли человечеству дорогу в эру электроники и цифровых технологий. Его открытия стали основой для создания современных электронных устройств — мобильных телефонов, проигрывателей компакт-дисков, оптоволоконной связи и многого другого. В настоящее время уже невозможно представить жизнь без лазеров, полупроводников, светодиодов и оптоволоконных сетей, а всё это стало доступным благодаря изобретениям Алферова и воспитанных им молодых ученых.

Семья Алферова приехала в Ленинград в 1948 году, и будущий лауреат Нобелевской премии с отличием окончил факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института по специальности «электровакуумная техника». По окончанию института Алферова направили работать по распределению в Ленинградский физико-технический институт Академии наук СССР, которым тогда руководил его основатель академик Абрам Иоффе.

Абрам Иоффе и Яков Френкель еще в 30-е годы начали исследования полупроводников в СССР. Как отмечал Алферов, если бы не эти работы, то в 1948 году не был бы изобретен американскими авторами транзистор — одно из выдающихся изобретений в области физики, фактически открывшее эру информатизации. Алферов подчеркивал неоднократно, что всё, сделанное в мире в области полупроводниковых гетероструктур, принадлежало советским исследователям.

Заслуга Алферова состоит в том, что ему первому удалось подобрать идеально подходящие полупроводники для того, чтобы создать полупроводниковые устройства на основе гетероструктур — микроструктур, в которых в контакт приведены два или несколько разных по химическому составу полупроводников. Это позволило создавать чрезвычайно мощные и при этом очень компактные конструкции.

«Идеи использования гетероструктур возникли в начале 60-х годов у нас, в Физико-техническом институте, в моей группе. Мы показали, что для большинства полупроводниковых приборов необходимо строить полупроводниковые кристаллы из сложных химических композиций, когда он остается единым монокристаллом, но основные его свойства меняются внутри кристалла на расстояниях, исчисляемых долями микрона», — рассказывал Алфёров о том, как он пришел к результатам, принесшим мировое признание.

Поначалу высказанные идеи казались другим исследователям противоречащими физическим принципам или абсолютно невозможными на практике. Но Алфёров смог, невзирая на общий скепсис, идти вперед. В 1967 году в его группе были созданы гетероструктуры, обладавшие нужными свойствами, а позже — первый полупроводниковый гетеролазер, который работал в непрерывном режиме при комнатной температуре.

В 1972 году Алфёрова удостоили высшей научной награды СССР — Ленинской премии. В этом же году ученый стал членом-корреспондентом Академии наук, а в 1979-м он был избран академиком. В 2000 году за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов Алфёров получил высшую мировую награду — Нобелевскую премию.

Нашли ошибку? Выделите ее,
нажмите СЮДА или CTRL+ENTER