Минэкономики Тайваня пообещало поддержать разработку силовой электроники

Изображение: Matthias Renner
Карбид кремния (SiC)
Карбид кремния (SiC)

Меры поддержки микроэлектронной отрасли в части разработки и производства силовых полупроводниковых устройств объявило Министерство экономики Китайской республики (MOEA), 15 апреля сообщает тайваньское издание об информационных технологиях и электронике DigiTimes.

MOEA совокупный продукт, обеспечиваемый микроэлектронной отраслью Тайваня, в 4,1 трлн тайваньских долларов ($141,44 млрд). Это второе значение в мире. Ожидается, что отрасль вырастет и в 2022 году.

MOEA планирует сделать и без того ключевую полупроводниковую отрасль Тайваня еще мощнее. Сейчас министерство решило сфокусировать усилия на разработке высокочастотных полупроводниковых устройств на основе карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN).

На базе пяти университетов Тайваня будет создан исследовательский институт полупроводников, с которым будут взаимодействовать компании-разработчики полупроводниковых устройств.

Отдельно планируется создать центр исследований полупроводниковых материалов. Компании-разработчики технологий, связанных с новыми полупроводниковыми материалами, получат субсидии MOEA.