Израильская Weebit Nano представила контроллер с резистивной памятью ReRAM
Систему на кристалле (СнК, SoC) со встроенным блоком резистивной памяти ReRAM представила израильская компания Weebit Nano, 8 апреля пишет интернет-журнал о полупроводниковой отрасли Semiconductor Digest.
СнК построена на архитектуре RISC-V со встроенным блоком памяти ReRAM. Объем блока памяти не сообщается, но из предыдущих публикаций можно извлечь информацию об объеме 128 Кбит.
Контроллер является важным этапом на пути внедрения резистивной памяти в эксплуатацию. Такая СнК позволит потенциальным разработчикам электронных устройств тщательно протестировать память ReRAM.
Также из предыдущих публикаций можно сделать вывод, что опытные микросхемы изготовлены на 200 мм платинах по техпроцессу 28 нм на опытных мощностях французского института CEA-Leti.
Серийно выпускать память ReRAM планируется на мощностях американской компании SkyWater Technology, взаимодействующей с Минобороны США.
Работы над резистивной памятью ReRAM ведутся многими организациями в разных странах мира. Этот тип памяти интересен благодаря сочетанию скорости, характерной для оперативной памяти, энергонезависимости, большим числом циклов перезаписи, устойчивости к температуре и радиации.
Эти качества делают память привлекательной для промышленного применения, космоса и оборонной отрасли. Но технология изготовления памяти ReRAM еще не доведена до возможности массового изготовления и внедрена в широкую эксплуатацию.
