Найден способ понизить сопротивляемость процессоров при 7-нм техпроцессе

Способ понизить сопротивляемость чипов на 40%, несмотря на уменьшение размера техпроцесса, разработала компания Applied Materials, сообщает 7 августа портал IEEE Spectrum.

Согласно сообщению, при изготовлении процессоров одна из главных технологий — осаждение вольфрама на вертикальные отверстия для контактов. Сегодня перед осаждением вольфрама на поверхность отверстий наносится сначала слой нитрида титана, который улучшает «прилипание» вольфрама к стенкам отверстий и защищает процессор от загрязнения фтором.

Однако с уменьшением размера техпроцесса размеры вертикальных отверстий также уменьшались. К примеру, при 7-нм техпроцессе диаметр отверстий составляет всего 20 нм, а после нанесения титана и вольфрама остается только 25% от всего объема отверстия.

Applied Material создала технологию, которая позволяет заполнять отверстия вольфрамом без предварительного напыления слоя нитрида титана. При этом вольфрам заполняет отверстия не сверху, как обычно, а снизу.

Утверждается, что это позволяет на 40% снизить сопротивляемость процессоров.