1. Экономическая война
  2. Электроника в мире
Тайбэй, / ИА Красная Весна

Высокий спрос на HBM может привести к дефициту памяти DRAM — TrendForce

Изображение: (cc) Steven Lilley
Модуль оперативной памяти
Модуль оперативной памяти
Модуль оперативной памяти

Высокий спрос на оперативную память HBM для сегмента высокопроизводительных вычислений может привести к дефициту «обычной» оперативной памяти DRAM, считают аналитики TrendForce, 21 мая сообщает британское интернет-издание о технологиях The Register.

По ожиданием аналитиков в 2024 году совокупный спрос на память HBM вырастет на 200%, затем удвоится в 2025 году. Производители оперативной памяти готовы переключать внимание на HBM из-за высоких темпов роста спроса и большей рентабельности.

Рост спроса на HBM, в свою очередь, связан с растущей популярностью приложений искусственного интеллекта (ИИ). Наиболее производительные аппаратные платформы для ИИ создаются с размещением чипов памяти HBM на одной подложке или печатной плате с вычислительными чипами. Причем значительный интерес на большие языковые модели накладывает требования к большому объему размещенной рядом с вычислительными чипами памяти.

Оперативная память DRAM LPDDR5(X) и DDR5 будет производиться по остаточному признаку. Крупнейшие производители памяти Micron, SK hynix и Samsung планируют вводить в строй новые мощности, но темпы будут зависеть от прибыли за 2024 году. Они в любом случае отстанут от роста спроса на HBM.