Китай активно занялся разработкой силовых автомобильных микросхем
Поставки силовых IGBT-чипов отечественной разработки вырастут в Китае до 40% в 2024 году, следует из прогноза аналитиков компании Yole Developpement, 7 сентября сообщает тайваньское издание об информационных технологиях и электронике DigiTimes.
Согласно аналитической модели компании доля силовых автомобильных чипов китайской разработки на рынке КНР вырастет с 19,5% в 2021 году до 40% в 2024 году. Это связано, в том числе, с тем, что срок ожидания поставок автомобильных чипов от мировых лидеров отрасли составляли до 50 недель на второй квартал 2022 года.
Сообщается, что китайские компании стремятся не только самостоятельно разработать силовые полупроводниковые приборы, но произвести их в Китае, чтобы снизить зависимость от внешних рынков. Отмечается постоянное расширение мощностей по производству микросхем на пластинах диаметров 200 и 300 мм.
В настоящий момент разработкой и производством чип-транзисторов IGBT ()биполярный транзистор с изолированным затвором, БТИЗ) для автомобильного рынка заняты в Китае 25 организаций.
Спрос на внутреннем рынке большой, автопроизводители хотят иметь более стабильные цепочки поставок. В частности, производитель электротранспорта Li Auto закупает 70% IGBT-чипов у германской Infineon Technologies, но планирует сократить это значение до 50%. На поставки компании уже претендует китайская CRRC Times Electric.
