Samsung объявила о начале массового производства чипов по техпроцессу 3 нм
Массовое производство микросхем с технологическим процессом 3 нм на основе транзисторов GAAFET начала компания Samsung Electronics, 30 июня сообщает тайваньское издание об информационных технологиях и электронике DigiTimes.
В компании объявили о запуске производства первого поколения техпроцесса 3 нм. Утверждается, что по сравнению с техпроцессом 5 нм новый техпроцесс первого поколения может снизить энергопотребление до 45%, повысить производительность на 23% и уменьшить площадь на 16%.
Второе поколение техпроцесса 3 нм, как утверждается, позволит уменьшить энергопотребление до 50%, повысить производительность на 30% и уменьшить площадь на 32%.
Новый техпроцесс впервые использует нанолистовые транзисторы GAAFET (Gate all around field effect transistor) вместо ранее используемых FinFET. В Samsung назвали технологию Multi Bridge Channel FET (MBCFET). От обычного представления о GAAFET транзистор Samsung отличается применением нанолистов вместо нанопроволок.
Отмечается, что MBCFET позволяет контролировать ширину нанолистов, что позволит регулировать пропускаемый ток в зависимости от потребностей заказчика.
Запустив производство по 3 нм техпроцессу, Samsung сделала рывок вперед по отношению к TSMC. В том числе, благодаря переходу на новый тип транзисторов. TSMC планирует использовать архитектуру GAAFET на техпроцессах менее 3 нм.
