1. Экономическая война
  2. Электроника в мире
Тайбэй, / ИА Красная Весна

В процессорах Intel появятся кристаллы, сделанные TSMC — Commercial Times

Изображение: (cc0) piklist.com
Микропроцессоры
Микропроцессоры

Новые процессоры серии Meteor Lake будут собираться из нескольких кристаллов разных производителей, сообщил ведущий поставщик чипов для персональных компьютеров и серверов Intel, пишет 22 ноября издание Commercial Times со ссылкой на источники в отрасли.

Intel будет использовать технологию сборки чипов из нескольких кристаллов Foveros при производстве новых процессоров 14 поколения под кодовым названием Meteor Lake. При такой технологии несколько кристаллов-плиток собираются в стопку и соединяются специальными каналами.

Сборка чипа из гетерогенных плиток позволяет использовать для каждой из составных частей наиболее подходящий для нее техпроцесс. А расположение кристаллов друг над другом позволяет уменьшить площадь, а значит и размеры чипа.

Еще один примечательный момент состоит в том, что некоторые кристаллы будет производить не сама Intel, а ведущий мировой контрактный производитель микросхем — тайваньская TSMC. Основной вычислительный блок будет производить Intel по технологии 7 нм (Intel 4 по новому обозначению компании). Блок для обработки графики будет изготовлять TSMC по техпроцессу 3 нм, который пока не запущен в массовое производство. Блок для работы с интерфейсами также будет производить TSMC, но по более старой технологии 4 нм или 5 нм.

Напомним, ранее Intel уже объявила при анонсе своих первых дискретных видеокарты Arc Alchemis Intel объявила, что процессоры для них будут гетерогенными и часть кристаллов для них будут производиться на мощностях TSMC.

Технологией сборки чипов из разнородных кристаллов намерен воспользоваться и ведущий китайский контрактный производитель чипов SMIC. Ее выбор обусловлен еще и тем, что из-за западных санкций она не может получить самые передовые сканеры, работающие на жестком ультрафиолете (EUV). Без них компания не может освоить технологии меньше 14 нм и ограничена в увеличении плотности размещения полупроводниковых структур на своих чипах. Размещение кристаллов в несколько слоев поможет ей увеличить количество транзисторов в чипе при сохранении его площади.