В Новосибирске создали установку для выращивания полупроводников в космосе

Опытный образец установки для синтеза полупроводниковых структур подготовили к испытаниям исследователи Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 9 октября пишет журнал «Наука в Сибири».

Многослойные полупроводники создаются методом молекулярно-лучевой эпитаксии, когда атомы укладываются слоями на специальную подложку, в результате образуя многослойные наноструктуры.

Процесс выращивания должен происходить в сверхвысоковакуумных установках, чтобы в структуру не попали чужеродные атомы. При этом на Земле подобные условия труднодостижимы, а подобные вакуумные установки очень дороги, а в космосе требуемые условия получить можно с легкостью.

«Мы оснастили опытный образец отечественной электроникой, в ближайшее время будут проходить контрольно-доводочные испытания. Вместе с коллегами из красноярской научно-производственной фирмы „Электрон“ мы проверим слаженность работы блока управления и установки молекулярно-лучевой эпитаксии», — заявил главный конструктор проекта, доктор физико-математических наук Александр Никифоров.

Он добавил, что после завершения подготовительных этапов весь комплекс отправится в Москву, где пройдет проверку в условиях, приближенных к космическим.

Установка создана для работы в автоматическом режиме. Космонавту на орбите необходимо будет только присоединить кассету с подложками арсенида галлия, а по завершении синтеза вернуть контейнер на Землю в спускаемом модуле.

Предполагается, что сама установка будет смонтирована на МКС за специальным экраном. Ученые ожидают получить на орбите полупроводниковый материал более высокого качества.