В Китае освоен выпуск полупроводниковых пластин из карбида кремния

Полупроводниковые пластины из карбида кремния (SiC) диаметром 150 мм и полевые транзисторы на их основе начала выпускать китайская компания Inventchip Technology, 17 октября сообщил портал ИТ-новостей из Китая cnTechPost.

Электроника на основе SiC обладает заметно лучшими показателями, чем кремниевая, если дело касается силовых схем. Транзисторы на SiC на 50% более энергоэффективны, дольше служат при работе с высокими напряжением, током и температурой.

Созданная в 2017 году Inventchip Technology первой в Китае освоила производство силовых микросхем и отдельных компонентов на базе SiC. Часть изготовленных компанией компонентов уже поступила в массовое производство.

Основной рынок, на который компания ориентируется, — это электрические автомобили. Основатель компании Чжан Юнси заявил, что используя МОП-транзисторы на основе SiC в приводах, можно увеличить пробег электромобиля на 5-10%.