Сибирские ученые разработали детекторы для исследовательских станций СКИФа
Работы над расширением номенклатуры отечественных сенсоров, в том числе для исследовательских станций Сибирского кольцевого источника фотонов (СКИФ), ведут специалисты Томского государственного университета (ТГУ), 27 ноября сообщает пресс-служба вуза.
Решая приоритетную для российской науки задачу создания современной отечественной электроники, ученые ТГУ к ранее разработанным многоэлементным сенсорам на основе арсенида галлия добавили опытные образцы кремниевых микрополосковых сенсоров рентгеновского излучения и передали их для тестирования в Институт ядерной физики (ИЯФ) СО РАН.
Один из разработчиков, научный сотрудник лаборатории детекторов синхротронного излучения ТГУ Антон Тяжев пояснил:
«На базе лаборатории детекторов синхротронного излучения Центра „Перспективные технологи в микроэлектронике“ ТГУ спроектированы микрополосковые сенсоры рентгеновского излучения под задачи, которые будут выполняться на исследовательских станциях ЦКП „СКИФ“». В качестве основы для них используются пластины выскоомного кремния».
Первая партия таких сенсоров уже была выпущена на отечественном предприятии. Исследования характеристик этих сенсоров показали их пригодность для включения в состав многоэлементных детекторов, которые будут установлены на исследовательских станциях синхротрона СКИФ.
В структуру Центра коллективного пользования «Сибирский кольцевой источник фотонов» с самым современным источником синхротронного излучения класса 4+ входят 30 исследовательских станций.
Первый отечественный координатный детектор на полупроводниках GINTOS для исследования быстропротекающих процессов, способный выдерживать очень высокие потоки энергии, был совместно разработан и осенью 2024 года изготовлен учеными ТГУ и ИЯФ СО РАН.
Этот детектор предназначен для станции, запуск которой будет произведен в первую очередь. Для работы этой станции необходимо разработать еще четыре детектора, и специалисты ИЯФ СО РАН и ТГУ совместно решают эту задачу. В ходе ее реализации в ИЯФ СО РАН из ТГУ были переданы микрополосковые сенсоры для исследования их характеристик при облучении интенсивными потоками синхротронного рентгеновского излучения.
«Сенсоры наших томских коллег использованы в опытном образце детектора, который сейчас проходит тестирование, — рассказал главный научный сотрудник ИЯФ СО РАН, ведущий научный сотрудник лаборатории детекторов синхротронного излучения ТГУ Лев Шехтман. — Такие детекторы будут востребованы на синхротронных источниках и для лабораторных дифрактометров. Сейчас мы исследуем вольт-амперные характеристики детектора: сравниваем ток на образце нашего детектора российского производства и зарубежного аналога».
Детекторы такого типа позволяют выполнять высокоточные измерения, которые пока невозможно проводить на современных российских кремниевых сенсорах. Работа над ними идет в рамках проекта «Разработка фундаментальных основ физики и технологии радиационностойких полупроводниковых структур и создание на их основе многоэлементных детекторов для обеспечения исследований и исследовательской инфраструктуры синхротронного центра 4+ поколения „СКИФ“ и других „мегасайенс“ проектов в РФ».
